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Industrielle Flash- und DRAM-Lösungen

Silicon Power wurde 2003 gegründet und produziert DRAM- und Flash-Produkte für den Consumer- und Industriebereich. Aufgrund der deutlich höheren Anforderungen im industriellen Bereich wurden eigene F&E-Abteilungen eingerichtet, um den kundenspezifischen Herausforderungen im industriellen Umfeld gerecht zu werden. Durch die Prüfung jedes einzelnen Produktes, Qualitätsmerkmale wie Chip-Screening, Burn-In-Tests oder eine lückenlose Rückverfolgbarkeit jedes Produktes - einschließlich der Produktionshistorie - ist Silicon Power in der Lage, auch höchste Anforderungen in den Bereichen Industrial, Medical, Military und Aerospace zu erfüllen.

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NVMe - M.2

Basierend auf 3D TLC NAND Flash Speicher



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SATA - 2.5" SSD

SATA - 2,5" SSD Hohe Leistung



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SATA - CFast

Entspricht dem Standard Serial ATA Revision 3.1



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SATA - M.2

Hervorragende Ausdauer auch für anspruchsvolle industrielle Anwendungen

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SATA - mSATA

Im MO-300 Standard-Formfaktor und in verschiedenen Ausführungen erhältlich

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Compact Flash

CF Standard 6.0 und sind für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet

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MicroSD

Entspricht der SD-Spezifikation 3.0 und ist rückwärtskompatibel zu SD 2.0, 1.1 und 1.01


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SD

Entspricht der SD-Spezifikation 3.0 und ist abwärtskompatibel zu SD 2.0, 1.1 und 1.01


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USB Sticks

USB-Produkte sind als USB 2.0- und USB 3.0-Versionen erhältlich



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DDR3 DRAM

Erhältlich in den üblichen Formfaktoren und überzeugen durch ihre hervorragende Leistung

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DDR4 DRAM

DDR4 DRAM Module Lösungen




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Allen Produkten gemeinsam ist eine Langzeitverfügbarkeit von mindestens 5 Jahren und ein ausgefeiltes BOM- und EOL-/PCN-Management. Sicherheit bietet eine lange Garantie von 5 Jahren (und innerhalb TBW) für SLC-Produkte, 3 Jahren (und innerhalb TBW) für MLC/3D-TLC-Produkte und 10 Jahren für alle DRAM-Produkte.

Umfangreiche Anpassungsmöglichkeiten, von einem einfachen, kundenspezifischen Etikett bis hin zum Preloaden von Kundeninhalten, runden das Paket ab.

Thomas Graffweg
Thomas GraffwegLine Manager StoreDiese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! Zur Anzeige muss JavaScript eingeschaltet sein.
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